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対向ターゲット式スパッタ装置 |
| コード |
装置名 |
メーカー |
型式 |
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| 1103 |
対向ターゲット式スパッタ装置 |
大阪真空 |
FTS-R－2LS |
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対向ターゲット方式/DC 1層・RF 1層
【構成】
スパッタリングチャンバー
スパッタカソード（100×160mm/2対）
基板ホルダー□4”（□101.6）基板1枚取付・加熱/冷却
基板搬送系
基板シャッター
真空排気系
ガス導入系
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スパッタ装置（カルーセルタイプ) |
| コード |
装置名 |
メーカー |
型式 |
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| 1102 |
スパッタ装置（カルーセルタイプ) |
シンクロン |
BSC-7021 |
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 S/N： 890061
ターゲット電極： 5”×20”角型 2個
基板治具： 10面体 高さ405m/m中心から295m/m
加熱温度： MAX300℃、常用200℃
スパッタ電源： D.C. SP-10D型 1式
排気系操作方式： 自動操作方式
スパッタリング方式： 水晶式 1C6000
荒引： KP-3000A
本引： クライオポンプ TM250-W型
自動再生ユニット BM-1B型
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スパッタ装置 |
| コード |
装置名 |
メーカー |
型式 |
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| 1099 |
スパッタ装置 |
トッキ |
SPK-502 |
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 Φ6吋,2元RF,DC
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スパッター装置 |
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 対向ターゲット式スパッター装置
年式：1992年
【スパッタ方式】
φ6”カソード対向
RF1Kw
基板バイアス加温
メタルナ保護膜
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DCスパッター装置 φ2”4元同時 |
| コード |
装置名 |
メーカー |
型式 |
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| 1098 |
DCスパッター装置 φ2”4元同時 |
生成理化工業 |
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 年式：1995年11月
【スパッタ方式】
φ2カソード4元
3層マーク
DC電源×1
RF逆スパッター用
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スパッター装置 |
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 年式：1992年1月
【基板関係】
φ3”プレナー
マグネットロンカソード1
磁性体カソード1
非磁性体カソード1
【スパッタ方式】
φ3”3元
逆スパッター可/RF2基
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スパッタリング装置 |
| コード |
装置名 |
メーカー |
型式 |
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| 1095 |
スパッタリング装置 |
トッキ |
SPM-404A |
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 到達圧力:10-5Pa(10-7torr)台
排気時間:10-4Pa(10-6Torr)台まで20分以内
常用圧力:10-1Pa(10-3Torr)台
測定条件:無加熱,無試料,N2導入後大気放置3分以内スパッタ室で測定
φ3吋プレ－ナ－マグネトロンカソード4式
基盤加熱最高温度800℃
常温温度600℃
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スパッタリング装置 |
| コード |
装置名 |
メーカー |
型式 |
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| 1092 |
スパッタリング装置 |
VCR |
IBS/TM200S |
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スパッタリング装置 |
| コード |
装置名 |
メーカー |
型式 |
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| 1091 |
スパッタリング装置 |
芝浦 |
CFS-4EP |
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 φ3”マグネトロンカソード3式、DC
・スパッタ方式 サイドスパッター
Φ3”3元同時スパッタ可
・真空槽 大きさ400㎜Φ×200D 1基
材質はタンク部 SUS, 前後フランジ,A1合金
覗窓(シャッター付）
・DC電源電源(出力1A-500V) 3台
・ターゲット Φ76.2×3㎜t以下 1
・治具 Φ230一軸公転加熱テーブル 1式
・基板温度300℃
・排気系 R.P.(DRP-180BY)
C.P.(uv-202-06J 800ℓ/Sec(N2)
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スパッタリング装置 |
| コード |
装置名 |
メーカー |
型式 |
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| 1087 |
スパッタリング装置 |
トッキ |
SB-100 |
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簡易式ロードロック式
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スパッタリング装置 |
| コード |
装置名 |
メーカー |
型式 |
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| 1085 |
スパッタリング装置 |
芝浦 |
CFS-8EP-45 |
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スパッタリング装置 |
| コード |
装置名 |
メーカー |
型式 |
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| 1084 |
スパッタリング装置 |
アルバック |
SBH-2206RE |
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スパッタリング装置 |
| コード |
装置名 |
メーカー |
型式 |
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| 1081 |
スパッタリング装置 |
アネルバ |
SPP-410H |
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 基板 プラネタリー回転 φ226×3枚
真空室 W980×D450×H150
スパッタ方式 マグネトロンカソード φ6インチ
RF電源：3kW 手動マッチング
スパッターアップ式
排気系 到達圧力： 10-5 Pa台 （10-7 Torr台）
排気時間： 7×10-4 Pa （5×10-6 Torr台）まで
10分
RP： 500l／min
CP： 1500l／s（LN2トラップ付）
温度 上限 350℃
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スパッタリング装置 |
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 基板 φ320 ターンテーブル
加熱水冷基板ターゲット間 75±25
真空室 750×750×210
スパッタ方式 プレーナーマグネトロンカソード φ10インチ×1
スパッター操作：手動式 スパッターアップ式
逆スパッター：可
バイアススパッター：可
RF電源：PRF－503 0．5kW
DC電源：オプション
排気系 到達圧力： 5×10-7 Torr台
排気時間： 10-6 Torr台／10分（LN2使用時）
RP：アルカテル2033 510l／min
DP：6インチ CDP－1200 1200l／s
温度 上限 300℃
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